单晶PECVD钻石的众多优良性能使其成为 21 世纪工业发展最重要的材料之一。  PECVD 技术经过多年发展， 俨然已经成为高品质大尺寸单晶钻石合成的主流技术。 目 前， 该技术合成单晶PECVD钻石的生长速度超过 200 μm/h 。 此外， 使用 PECVD技术已经成功合成了英寸级以上的大面积单晶钻石（见图 8 ）。 lift-off 剥离技术和马赛克法被证实是合成大面积单晶钻石的有效方法。

尽管 PECVD 技术合成单晶钻石所取得了 很大的进步， 但仍然存在一些问题。

1 ） 高速生长带来的挑战是， 生长的可控性难度更高， 生长过程中容易产生非晶碳、位错、孪晶等缺陷， 导致产品质量下降。 因此， 制备大尺寸单晶PECVD钻石的时候， 为保证生长质量， 每生长一段时间后就需要取出来进行抛光处理， 去除非钻石碳成分后再进行下一次生长。

2 ） 沉积面积越来越大， 容易出现生长速率分布不均的问题。 因为大面积的衬底需要面积更大、体积更大的等离子体球， 等离子体球越大， 其内部差异越明显， 衬底位于等离子体球不同位置时的各项参数（如： 温度， 功率密度等）差异可能会更大。

3 ） 高速生长与与大面积沉积难以同时兼顾，扩大钻石的沉积面积往往导致生长速率的大幅度下降。总而言之， 目 前 PECVD 技术合成高质量大尺寸单晶钻石的效率仍然不高， 离大规模量产仍有一定的距离。

传统CVD技术由于颜色等级不高，CVD钻石最高只能达到H色，需要辐射改色。而辐射改色后的CVD钻石对人体有害，需要放置2~3年后辐射才会降到无害水平。

因此无需辐射改色的PECVD是珠宝级人造钻石的实用技术。

展望未来， PECVD 技术合成钻石将仍然朝着高质量、高生长速率、大面积沉积的方向发展， 随着技术的不断进步， 高质量大尺寸单晶钻石的合成效率将会越来越高。有理由相信， 实现高质量大尺寸单晶PECVD钻石的量产不会太遥远。